
Электронограф регистрирующий с компьютерным управлением ЭМР-110К предназначен для структурных исследований кристаллической структуры веществ методом дифракции электронов в кристаллографии, металловедении, геологии, химии и других областях науки и техники.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
Разрешающая способность Δd, nm
при d=0,1 nm и L= 600 mm |
0,0002 |
| Дифракционный индекс (δ3/L) |
(7÷8)×10-5 |
Ускоряющее напряжение, kV
со ступенями регулировки, kV |
25 … 100
0,05; 1; 5 |
Перемещение объекта
• перемещение по XY, mm
• вращение вокруг Z, °
• наклон вокруг оси Y, °
• количество объектов в держателе на просвет
• количество объектов в держателе на отражение
• размер тонкого объекта, Ø, mm
• размер шлифа, mm |
±10,0
360
±45
7
1
6
10×10×3 |
Угол отклонения дифракционной картины
отклоняющей системой развертки, ° |
±7 |
| Нагрев держателя тонкого объекта, °С |
до 900 |
| Охлаждение держателя тонкого объекта, °С |
-150 |
Фотокамера
• размер фотопленки, mm
• количество кассет в фотомагазине |
90×120
20 |
| Пределы измерения тока зонда цилиндром Фарадея, А |
10-9 … 10-12 |
| Длительность развертки дифракционной картины, s |
10 — 180 |
Фильтр электронов для отсева атомного и некогерентного
фона на дифракционной картине:
• рабочие напряжения фильтра, кV
• полоса пропускания фильтра, eV
• шум фильтра, ррs, не более |
25, 50, 75
0 … 10
700 |
Остаточное давление, mm Hg, не более
• в объеме электронной пушки
• в объеме дифракционной камеры
• в объеме фильтра электронов |
5×10-6
1×10-5
5×10-6 |
Напряжение питания (1 фаза), V
частота, Hz |
220
50/60 |
| Потребляемая мощность, кVА, не более |
4,0 |
| Габаритные размеры, mm, не более |
Колонна
со стендом |
Высоковольтный
источник |
• длина
• ширина
• высота |
1350
1900
2000 |
830
400
750 |
| Общая масса электронографа, kg, не более |
1500 |
|